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メモリ
【メモリ】
電源を落とすと中のデータが消える情報を記憶する装置の事。
CPUは常にこのメモリをアクセスして
メモリ上のデータを参照し、メモリ上のプログラムを実行しています。
言い換えると、
メモリの速度が速いとパソコン自体の速度が速く成るって事に成ります。
また、マザーボードによって、搭載出来る規格・物理的最大データ容量が変わってきます。
【メモリ容量】
パソコンを安定稼動させるには、メモリの容量も必要です。
ネットやメール・書類作成程度なら2GB程度有れば十分かとは思いますが、画像処理・動画エンコード・ハイスペックなゲーム等の処理の重いソフトを動かす場合には推奨スペックのメモリ容量以上積む事をお勧めします。
しかしながら
RAMディスク作成パージでも述べてますが、
32bitOSの場合には3GBの壁が存在します。
また、Windowsの機能
仮想メモリによってハードディスク内に仮想的にメモリを作成します。
メモリ容量が足りなく成った場合には、アクセス速度が大幅に遅くなる仮想メモリ(HDD)へとアクセスしますので、パソコンの処理速度が大幅に遅く成ってしまいます
【メモリ規格・モジュール規格】
動作クロックが高い程、高速に処理を行えます。
メモリ規格(DDR/DDR2/DDR3/SDRAM等)によって挿入するスロットの形状からピン数まで違います。
また、搭載されているモジュール規格(チップ)で処理速度が変わります。
オーバークロックを目指すなら定格クロックよりも高い動作クロックで動作可能なオーバークロックメモリをお勧めします。
オーバークロックでのボトルネックと成り易い1つはメモリだと思いますので
(勿論マザーボードが対応してないと行けませんが
)
メモリ規格 |
チップの種類 |
バスクロック |
モジュール規格 |
データ伝送速度 |
SDRAM |
PC100 |
100MHz |
PC100 |
800MB/s |
PC133 |
133MHz |
PC133 |
1GB/s |
DDR SDRAM |
DDR200 |
200MHz |
PC1600 |
1.6GB/s |
DDR266 |
266MHz |
PC2100 |
2.1GB/s |
DDR333 |
333MHz |
PC2700 |
2.7GB/s |
DDR400 |
400MHz |
PC3200 |
3.2GB/s |
DDR2 SDRAM |
DDR2-400 |
400MHz |
PC2-3200 |
3.2GB/s |
DDR2-533 |
533MHz |
PC2-4200 |
4.2GB/s |
DDR2-667 |
667MHz |
PC2-5300 |
5.3GB/s |
DDR2-800 |
800MHz |
PC2-6400 |
6.4GB/s |
DDR2-1066 |
1066MHz |
PC2-8500 |
8.5GB/s |
DDR3 SDRAM |
DDR3-800 |
800MHz |
PC3-6400 |
6.4GB/s |
DDR3-1066 |
1066MHz |
PC3-8500 |
8.5GB/s |
DDR3-1333 |
1333MHz |
PC3-10600 |
10.6GB/s |
DDR3-1600 |
1600MHz |
PC3-12800 |
12.8GB/s |
【チャネル数】
最近、デュアルチャネルメモリやトリプルチャネルメモリって言葉を良く耳にしますよネ。
コレはどういう事かと言いますと、、、、
デュアルチャネル:メモリコントローラとメモリ間の帯域が2倍(2枚のメモリが必要)
トリプルチャネル:メモリコントローラとメモリ間の帯域が3倍(3枚のメモリが必要)
つまり、それぞれデータ伝送スピードがシングルチャネルのメモリと比べると同動作クロック環境に置いて2倍3倍に成ると言う事です。
但し、メモリ1セット(デュアルなら2枚1組・トリプルなら3枚1組)を対応するスロットに挿入する必要が有ります。
【メモリタイミング(レイテンシ)】
データの転送要求などのからの結果が返るまでの遅延の為に取る時間の事。
このタイミングが小さいほど処理が高速と成るが、基本的にはタイミングが小さいよりもバスクロックが早い方が処理が早い。
※ 画像はクリックすると大きく表示されます。
また、実際に必要なタイミングは1つでは無く数箇所有ります。
|
下記の4項目が通常メモリスペックで表記される4連数値(5-5-5-18等)の事で、順番通りに説明してます。
PCの安定性・処理能力に影響が高いとされています。
CL(CAS Latency Control) : ※
tRCD(RAS# to CAS# Delay) : ※
tRP(Row Precharge Timing) : ※
tRAS(Min RAS# Active Timing) : CL + tRCD + 2程度が最適か?
その他、影響の有る設定値
tRC(Row Cycle Time) : tRAS + tRPが最適か?
tRFC(Row Refresh Cycle Time) : tRC+2〜4が最適か?
CR(Command Rate/Command Per Clock【CPC】) : ※
ウチのはtRFCを詰める必要が有りそう
※ memtest86+やストレステストで安定稼動出来る数値を詰めていく
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実際にメモリリード時を例にどんなタイミングなのかを下図で説明してみます。
※ 画像はクリックすると大きく表示されます。
プリチャージとはメモリが発揮性記憶装置な為、半導体素子に電荷を蓄える事でデータを蓄積・記憶しています。
データを読み出し時に電荷が失われ記憶されていたデータが消失してしまいますので、データを補充する事を言います。
設定された
レイテンシ分必ずDelayを置くので、
レイテンシを大きいくすると処理速度が遅くなる反面システムは安定します。
また、逆に
レイテンシを小さくすると処理速度が早くなりシステムが不安定に成る可能性が有ります。